知网查重论文样例--氮掺杂石墨烯的简介
由于石墨烯能带之间没有间隙，不能像传统半导体的导电性能一样完全控制其导电性。在石墨烯的表面也没有活性官能团，与其他材料（如金属粒子）复合困难，从而阻碍了石墨烯更广阔领域中的应用。为了使石墨烯及其复合材料的应用更加广泛，对石墨烯的功能化改进成为了大家研究的新课题，这些功能化改进的方法主要有合成石墨烯衍生物、化学修饰、表面官能团化以及元素掺杂等。其中，元素化学掺杂是优化石墨烯化学性质和电子结构的有效途径。其它原子进入石墨烯的晶格中，可以有效引入带隙，还可以增加石墨烯的缺陷和反应活性，从而提高其性能。据研究发现，氮、氧和硫等元素都可以掺入石墨烯晶格中改变其性能。
1.1.1.1 氮掺杂石墨烯的制备
根据现阶段的研究成果，氮掺杂石墨烯的方法主要分为两大类：直接合成法和后期处理法。直接合成法包括化学气相沉积法（CVD）法，隔离生长发、电弧放电法和溶剂热法；后期处理法主要包括热处理法、水合肼处理法和等离子处理法。Qu等人利用CVD法Ar保护气氛和温度达到1000℃的条件下，分别以NH3为氮源、CH4为碳源在Ni/SiO2/Si基底上制备出了氮掺杂石墨烯，通过旋转圆盘电极（RDE）测试方法证明了NG的稳态扩散电流密度可以达到商用Pt/C（20%）催化剂的3倍。Reddy等利用化学气相沉积法（CVD）法分别已乙腈作为前驱体和Cu作为催化剂，950℃的气氛下在Cu箔基地上成功裂解合成出了NG，并将其制成锂离子电池的负极材料，得到的可逆充放电容量为本征石墨烯的两倍。2010年，Long等在碱性环境下像GO溶液中加入适量的水合联氨，当温度不超过200℃时的不同温度下进行水热反应后得到了N含量不同和特征形貌也不同的NG，其中N含量最高可以达到5.21at%，在此基础上通过实验得到了一些N含量及形貌特征与反应温度的规律，为后面的研究起到了指导性的作用。同时这种制备方法操作简单，反应条件容易控制，所以这是一种NG制备的典型方法。
1.1.1.2 氮掺杂石墨烯的表征方法
X射线光电子能谱（XPS）和拉曼光谱是表征氮掺杂石墨烯的主要方法。其中XPS是文章中主要表征氮掺杂石墨烯的方法。在氮掺杂石墨烯的XPS谱图中，主要有三种峰，即N1s、C1s和O1s峰，它们分别位于399eV 、288eV和545eV左右。和石墨烯相比，是否存在N1s峰是考察制备氮掺杂石墨烯成功的关键。通过对N1s和C1s吸收衍射峰进行分峰拟合，可以判断氮掺杂石墨烯中氮的结合类型。通常N1s峰可根据结合能不同分为吡啶氮（398.1-399.3eV）、吡咯氮（399.8-401.2eV）和石墨氮（401.1eV-402.7eV）。
